| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Polieren eines Siliziumwafers bereit, das ein Durchführen eines Hochglanz-Polierverfahrens an dem Siliziumwafer umfasst, wobei das Hochglanz-Polierverfahren Folgendes einschließt: Durchführen von Vorpolieren an dem Siliziumwafer; anschließend Entfernen von metallischen Verunreinigungen, die an einer Oberfläche des Siliziumwafers anhaften, durch Durchführen sowohl eines Oxidationsverfahrens mit Ozongas oder Ozonwasser als auch eines Oxidschicht-Entfernungsverfahrens mit Flusssäure-Dampf oder Flusssäure-Lösung auf der Oberfläche des Siliziumwafers; und dann Durchführen von Nachpolieren. Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Polieren eines Siliziumwafers und ein Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiewafers bereit, die das Auftreten von PID im Siliziumwafer aufgrund eines Hochglanz-Polierverfahrens und die Verschlechterung der Oberflächenqualität des Siliziumwafers nach dem Hochglanz-Polierverfahren verhindern, wobei in einem anschließenden Verfahren eine Epitaxieschicht auf dem Epitaxiewafer angeordnet wird. |
