一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法，其敏感材料薄膜由至少含一种金属氧化物空心纳米结构的材料组成。其制造方法包括以下步骤：a)采用半导体工艺形成MEMS微热盘；b)采用水热法合成空心纳米结构材料，采用水热合成、研磨等方法得到实心纳米结构材料；c)将上述空心纳米结构材料和实心纳米结构材料，与若干功能添加剂按照一定比例配制成浆料，经过搅拌、超声分散，得到稳定的悬浮液墨水；d)将上述悬浮液墨水打印在MEMS微热盘的敏感电极测量区域；e)低温干燥、高温烧结，形成结构稳定可靠的MEMS金属氧化物半导体气体传感器。本发明具有体积小、功耗低、灵敏度高、响应时间短、寿命长、易集成等优点。

主权项

一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器，其特征在于，包括MEMS微热盘，其中，所述MEMS微热盘包括环形单晶硅基底(1)、支撑层(2)、加热电极(3)、绝缘层(4)、敏感电极(5)，以及涂覆在敏感电极测量区域的敏感材料薄膜(6)，所述敏感材料薄膜(6)由至少含一种金属氧化物空心纳米结构的材料组成。