| 发明名称 | 智能剥离分开后的热处理 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成包括层(1)的结构(30)的方法，该层(1)由选自半导体材料的材料制成且从施主晶片(10)剥离。本发明的方法包括：(a)注入原子种类用于在施主晶片(10)中接近剥离层(1)厚度的深度处形成脆弱区(4)，(b)将该施主晶片键合到接收晶片(20)，(c)提供热能用于在脆弱区(4)中从施主晶片(10)分开剥离层(1)，以及(d)处理该剥离层(1)。所述方法的特征在于：阶段(e)包括当所述剥离层仍与施主晶片(10)的剩余部分接触时所进行的剥离层(1)的恢复操作，且所述恢复操作通过在比剥离层(1)与施主晶片剩余部分(10′)的重附着温度低的温度的热处理进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100592493C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200580014164.9 | 申请日期 | 2005.03.07 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | T·赤津;N·达瓦尔;N-P·源;K·布德尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟;孙向民 |
| 主权项 | 1.一种形成结构的方法，该结构包含来自施主晶片的选自半导体材料的剥离层，该方法包括以下的连续步骤：(a)注入原子种类以在施主晶片中接近要剥离层的厚度的深度处形成弱区；(b)将该施主晶片键合到主晶片；(c)提供能量以在弱区处从施主晶片分开剥离层；(d)处理该剥离层；其中步骤(d)包括当该剥离层仍与施主晶片剩余部分接触时所使用的剥离层恢复操作，且其中通过在比剥离层与施主晶片剩余部分的重附着温度低的温度的热处理施加该恢复操作。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||