| 发明名称 | 操作非易失性存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种操作非易失性存储器装置的方法，该方法包括：浮动非易失性存储器装置的漏极选择线、源极选择线、阱和共源极线；对编程禁止位线预充电；以及通过对选择的字线施加编程电压来进行编程操作。所述选择线和阱被浮动以防止施加到位线的电压的影响。因此，可以防止非易失性存储器装置的降级。 | ||
| 申请公布号 | CN101587749A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200810132037.4 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 车载元;金德柱 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1.一种操作非易失性存储器装置的方法，该方法包括：当对存储器单元进行编程时对位线预充电；以及在所述位线的预充电期间使漏极选择线、源极选择线、阱和共源极线浮动。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||