| 发明名称 | CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法 | ||
| 摘要 | 一种CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法，包括：在化学机械抛光设备中通入抛光液，对晶圆进行化学机械抛光；停止通入抛光液；在化学机械抛光设备中通入与抛光液的酸碱性相同的弱酸性或者弱碱性有机物，清洗所述晶圆。所述方法能够有效去除现有技术化学机械抛光晶圆后晶圆表面无法清洗掉的大尺寸污染物粒子。 | ||
| 申请公布号 | CN101459040A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094533.0 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张斐尧;杜应提;周静 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法，包括：在化学机械抛光设备中通入抛光液，对晶圆进行化学机械抛光；停止通入抛光液；在化学机械抛光设备中通入与抛光液的酸碱性相同的弱酸性或者弱碱性有机物，清洗所述晶圆。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||