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Eine PIN-Diode (2) beinhaltet eine Anodenelektrode (6), eine P-Schicht (3), eine I-Schicht (4), eine N-Schicht (5) und eine Kathodenelektrode (7). Eine Polysilizium-Schicht ist in einer Region nahe dem pn-Übergang oder dem n+-n-Übergang ausgebildet, wo die Dichte der in einem Vorwärtspolungszustand injizierten Ladungsträger relativ hoch ist, als eine vorbestimmte Schicht mit einem Kristalldefekt, der als ein Rekombinationszentrum dient. Die Lebensdauer kann dadurch präzise eingestellt werden.
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