发明名称 一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法
摘要 本发明公开了一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法,其特征在于:采用TE/TM线偏振光为入射光,入射角为被测掩模的闪耀角,分别测量标准反射片的反射光的光谱分布D<SUB>0</SUB>(λ);被测掩模的反射衍射零级复色光的光谱分布D(λ);采用比较法,计算出介质膜光栅掩模实际的反射衍射零级的光谱分布R<SUB>g</SUB>(λ),对其进行光谱反演,得到掩模的槽形参数:光刻胶的剩余厚度、槽深和占宽比。本发明实现了对于面积、重量均较大的待测掩模的槽形参数的无损检测;且可以避免测量系统的误差,对光谱仪测量系统以及光源没有特别要求,测量方法简单易行。
申请公布号 CN101377413A 申请公布日期 2009.03.04
申请号 CN200810156859.6 申请日期 2008.09.28
申请人 苏州大学 发明人 陈新荣;吴建宏;李朝明
分类号 G01B11/25(2006.01);G01B11/06(2006.01);G01B11/22(2006.01);G01B11/02(2006.01) 主分类号 G01B11/25(2006.01)
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 陶海锋
主权项 1.一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法,其特征在于:采用TE/TM线偏振光为入射光,入射角为被测掩模的闪耀角,包括如下步骤:(1)将标准反射片置于样品架上,并将标准反射片的反射光用透镜聚焦至光谱仪的入射狭缝,测量该反射光的光谱分布D0(λ);(2)将被测掩模置于样品架上,将被测掩模的反射衍射零级复色光聚焦至光谱仪的入射狭缝,测量该反射衍射零级光的光谱分布D(λ);(3)根据下列公式,D(λ)=I0(λ)·Rg(λ)·T(λ)D0(λ)=I0(λ)·R0(λ)·T(λ)式中,I0(λ)是入射线偏振光的辐射功率分布,T(λ)是光谱测量系统的光谱传递函数,R0(λ)是标准反射片的反射率;采用比较法,计算出介质膜光栅掩模实际的反射衍射零级的光谱分布Rg(λ),对其进行光谱反演,得到掩模的槽形参数:光刻胶的剩余厚度、槽深和占宽比。
地址 215123江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号