| 发明名称 | 用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 用于制造具有不同掺杂浓度的区域(70、72；120、122)的半导体元件(74；140)特别是太阳能电池(140)的方法，包括：在半导体元件材料(50；100)表面(56；106)上形成(2；14)阻挡一种掺杂物的扩散并在至少一个部分可被一种掺杂物渗透的层(58；108)；在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内至少部分地除去扩散阻挡层(58；108)；在扩散阻挡层(58；108)上和在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内形成掺杂物源(66；116)；将来自掺杂物源(66；116)的掺杂物扩散(8；20)到半导体元件材料(50；100)中。本发明还涉及该半导体元件(74；140)在集成电路、电路、太阳能电池模块以及具有选择性发射板结构的太阳能电池(140)方面的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101379595A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200780004647.X | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | GP太阳能有限公司 | 发明人 | 彼得·法斯;艾哈尔·米尔因克 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01);H01L27/142(2006.01);H01L31/0224(2006.01) | 主分类号 | H01L21/225(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁 |
| 主权项 | 1.一种用于制造具有不同掺杂浓度区域(70、72)的半导体元件(74；140)的方法，所述方法包括下述方法步骤:在半导体元件材料(50；100)的表面的至少一个部分(56；106)上形成(2；14)阻挡一种掺杂物的扩散并可被一种掺杂物渗透的层(58；108)的方法步骤；在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内至少部分地除去(4；16a、16b)所述扩散阻挡层(58；108)的方法步骤；在所述扩散阻挡层(58；108)上和在所述至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内形成(6；18)一个掺杂物源(66；116)的方法步骤；将来自所述掺杂物源(66；116)的掺杂物扩散(8；20)到所述半导体元件材料(50；100)中的方法步骤。 | ||
| 地址 | 德国康斯坦察 | ||