| 发明名称 | 非挥发性内存的制造方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性内存及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤。首先，提供一基板。接着，形成一半导体层于基板上。然后，形成一富硅介电材料层于半导体层上方。接着，进行一镭射退火工艺，使得富硅介电材料层中形成多个硅纳米微晶粒，以形成一电荷储存介电层。然后，形成一栅极于电荷储存介电层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN101330012A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810132095.7 | 申请日期 | 2008.07.28 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 卓恩宗;赵志伟;彭佳添 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性内存的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一半导体层于该基板上；形成一富硅介电材料层于该半导体层上；进行一镭射退火工艺，使得该富硅介电材料层中形成多个硅纳米微晶粒；形成一栅极于具有所述硅纳米微晶粒的该富硅介电材料层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||