缺陷密度低，空位占优势的硅

摘要

本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅，它含有第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度，还涉及其制备方法。

主权项

1.一种单晶硅晶片，具有中轴；一般垂直于中轴的前侧面和背侧面；环状边缘；从晶片的中轴伸展到环状边缘的半径；和150mm的标称直径；该晶片包括：第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有附聚的空位本征点缺陷，其中该第一轴对称区域包括中轴或具有至少15mm的宽度；以及第二轴对称区域，该区域内硅自填隙原子是占优势的本征点缺陷并且基本没有附聚的硅自填隙原子本征点缺陷，其中该第二轴对称区域沿径向从第一轴对称区域伸展到环状边缘。