发明名称 |
使用奈米管开关之非依电性影子闩锁 |
摘要 |
一非依电性记忆体胞包括一依电性储存装置,其响应电刺激储存一对应的逻辑状态;及一影子记忆体装置,其耦合至该依电性储存装置。影子记忆体装置响应电刺激而接收并储存该对应的逻辑状态。影子记忆体装置包括一非依电性奈米管开关,其储存该影子装置之对应状态。 |
申请公布号 |
TWI324773 |
申请公布日期 |
2010.05.11 |
申请号 |
TW095116304 |
申请日期 |
2006.05.08 |
申请人 |
奈特洛公司 |
发明人 |
贝克雷;郭法兰;洛汤姆;康史提;麦米尔;麦克斯;西雷奇;黄汉瑞 |
分类号 |
G11C13/00 |
主分类号 |
G11C13/00 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡中曾;黄庆源 |
主权项 |
一种非依电性记忆体胞,包含:一依电性储存装置,其响应电刺激储存一对应的逻辑状态;及一影子记忆体装置,其耦合至该依电性储存装置,以便响应电刺激而接收并储存该对应的逻辑状态,该影子记忆体装置包括一非依电性两端奈米管开关,该两端奈米管开关包含第一及第二端及一奈米管物件,该奈米管物件系以与该第一及第二端中之每一者有固定的位置关系且覆盖至少该第一及第二端中之每一者的至少一部份而设置,该两端奈米管开关仅响应施加至该第一及第二端之至少一者而储存该影子记忆体装置之对应逻辑状态。 |
地址 |
美国 |