| 摘要 |
1. Способ фиксации изменений в структуре первоначального кристалла, вызванных воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды, заключающийся в том, что используют кристалл, структура которого включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, кристалл располагают на диэлектрической пластине, непосредственно контактирующей с биологической средой, размещенной в емкости, и фиксируют изменения структуры кристалла путем воздействия электрического импульса запирающей полярности на ее полупроводниковый переход. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют диэлектрическую пластину, выполненную из материала, с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера. ! 3. Способ по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что воздействие на полупроводниковый переход кристалла осуществляют электрическим импульсом прямоугольной формы с амплитудой 3-4 В и длительностью 0,1-1 с. ! 4. Способ по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что предварительно на биологическую среду воздействуют инактивирующим агентом, а возбуждение структуры кристалла осуществляют во время максимального уровня поля биологической среды, определенное экспериментально для используемого вида биологической среды при воздействии используемого инактивирующего агента. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что предварительно на биологическую среду воздействуют инактивирующим агентом, а возбуждение структуры кристалла осуществляют во время максимального уровня поля биологической среды, определенного экспериментально для используемого вида биологической среды при воздейс |
