| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100536634C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200610072117.6 | 申请日期 | 2006.04.12 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 堀口贵弘;冈信介 |
| 分类号 | H05H1/30(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，由微波使供给到处理容器内的处理气体等离子体化，并对基板进行等离子体处理，其特征在于，具有：导入处理气体的、被分为第一气体导入部和第二气体导入部的多个气体导入部；多根气体供给管件；将导入到所述第一气体导入部的第一处理气体放出到所述处理容器内的第一气体供给单元；和利用所述多根气体供给管件将导入到所述第二气体导入部的第二处理气体放出到所述处理容器内的第二气体供给单元。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||