低偏振模色散包层模抑制型光敏光纤及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低偏振模色散包层模抑制型光敏光纤及其制备方法，其特征是：在光纤的芯层中掺入了46％-54％锗元素，光纤的NA值为0.25-0.31，光纤芯层的折射率的增大Δ值为1.8％-2.1％，光纤内包层的下陷型折射率相对差值Δ在-0.1％--1％。本发明具有很高的边模抑制比和很低的偏振模色散值，使得使用这种光纤刻写的光栅能够使用在高速的通信系统中，在完成器件性能的同时，不引入有害的影响，为光纤通信和传感系统提供优良的原器件。

主权项

1、一种低偏振模色散包层模抑制型光敏光纤，其特征是：在光纤的芯层中掺入了46％-54％氯化锗，光纤的NA值为0.25-0.31，光纤芯层的折射率的增大Δ1值为1.8％-2.1％，光纤内包层的下陷型折射率相对差值Δ2为-0.1％--1％。