| 主权项 |
1.一种回授偏压电位侦测电路,包括:一电压转换器,该电压转换器结合接收一回授偏压电位并提供具有取决于迥授偏压电位的一侦测电位;一差动放大器电路,该差动放大器电路结合接收第一个差动放大器输入端的侦测电位以及第二个差动放大器输入端的差动放大参考电位,并且产生一回授偏压准位侦测信号;以及一差动放大器,该差动放大器包括一电流镜负载电路。2.如申请专利范围第1项所述之回授偏压电位侦测电路,其中电压转换器结合接收第一个内部产生参考电位以及该侦测电位是取决于第一个内部产生参考电位与回授偏压电位的电位差。3.如申请专利范围第2项所述之回授偏压电位侦测电路,其中电压转换器为包括串联结合复数个被动电阻性元件以提供该侦测电位的一分压电路。4.如申请专利范围第2项所述之回授偏压电位侦测电路,其中电压转换器为包括串联结合复数个IGFET以提供该侦测电位的一分压电路。5.如申请专利范围第2项所述之回授偏压电位侦测电路,其中第一个内部产生参考电位为提供至少一其它包括回授偏压电位侦测电路之半导体装置上的一供应电位。6.如申请专利范围第2项所述之回授偏压电位侦测电路,其中差动放大参考电位为一接地电压。7.如申请专利范围第2项所述之回授偏压电位侦测电路,其中差动放大参考电位为第二个内部产生参考电位。8.一种半导体装置,包括:一回授偏压电位侦测电路,包括:一电压转换器,该电压转换器结合接收一授偏压电位并提供具有取决于迥授偏压电位的一侦测电位,该电压转换器结合接收第一个内部产生参考电位以及该侦测电位是取决于第一个内部产生参考电位与回授偏压电位的电位差;以及一差动放大器电路,该差动放大器电路结合接收第一个差动放大器输入端的侦测电位以及第二个差动放大器输入端的差动放大参考电位,并且产生一回授偏压准位侦测信号。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置,更包括:一参考产生器,该参考产生器产生第一个内部产生参考电位,包括:一参考电路,该参考电路提供一参考电路电位;以及一缓冲电路,该缓冲电路结合接收参考电路电位并提供第一个内部产生参考电位。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中参考电路包括一参考装置而且该参考电路电位是取决于该参考装置之门槛电压。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中参考电路更包括一补偿装置而且该参考电路电位是取决于该补偿装置之门槛电压。12.如申请专利范围第11项所述之半导体装置,其中参考装置之门槛电压较大于补偿装置之门槛电压。13.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中缓冲电路提供不同于参考电路电位的第一个内部产生参考电位。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中缓冲电路包括:一缓冲差动放大电路,该缓冲差动放大电路具有连结接收参考电路电位的第一个缓冲差动放大电路;以及一电压转换电路,该电压转换电路提供第一个内部产生参考电位并且具有连结到第二个缓冲差动放大电路的一反馈点。15.一种半导体装置,包括:一电荷激励(charge pumping)电路,该电荷激励电路结合接收具有激励致能状态和激励非致能状态的激励致能信号,并且产生一提高电位;以及一电位侦测电路,包括:一电压转换器,该电压转换器结合接收提高电位,并且提供取决于提高电位的一侦测电位,该电压转换器结合接收第一个内部产生参考电位以及取决于第一个内部产生参考电位与提高电位之电位差的侦测电位;以及一差动放大电路,该差动放大电路结合接收第一个差动放大器输入端的侦测电位以及第二个差动放大器输入端的差动放大参考电位,并且结合产生激励致能信号。16.如申请专利范围第15项所述之半导体装置,其中电压转换器为包括串联结合复数个电阻性元件以提供该侦测电位的一分压电路。17.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中复数个电阻性元件为被动电阻性元件。18.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中复数个电阻性元件包括具有相同导电形式的第一和第二IGFET。19.如申请专利范围第16项所述之半导体装置,其中复数个电阻性元件包括具有相反导电形式的第一和第二IGFET。20.如申请专利范围第15项所述之半导体装置,其中电位侦测电路更包括连接到差动放大器并产生激励致能信号的一缓冲器。图式简单说明:第1图系显示一传统基底电压侦测电路的电路图。第2图系显示一传统基底电压侦测电路的电路图。第3图系显示根据一实施例的一基底电压侦测电路图。第4图系显示根据一实施例的一基底电压侦测电路图。第5图系显示根据一实施例的一基底电压侦测电路图。第6图系显示根据一实施例的一基底电压侦测电路图。第7图系显示根据一实施例的一基底电压侦测电路图。第8图系显示根据一实施例的一基底电位产生电路图。第9图系显示根据一实施例的一参考产生电路图。 |
