| 发明名称 | Ⅲ族氮化物化合物半导体叠层结构体的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101522942A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200780036234.X | 申请日期 | 2007.09.13 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 三木久幸;塙健三;佐佐木保正 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田 欣 |
| 主权项 | 1、一种III族氮化物化合物半导体叠层结构体的成膜方法，该方法是在基板上成膜出由III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构，其特征在于，该多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法层叠缓冲层和基底层，并且，使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||