用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法

摘要

本发明涉及一种用离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，属半导体量子材料的制备技术领域。本发明采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，工作室本底真空度小于3.0×10-4Pa，束流电压为0.5KV～1.1KV，生长束流为4mA～15mA的条件下，在硅基底材料上当生长温度为700℃～800℃时生长了一层Si缓冲层，然后在600℃～750℃的温度范围内自组织生长单层Ge量子点。该方法有效解决了低温和大溅射速率下离子束溅射技术制备量子点材料存在的可控性差、高宽比低、需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性的不足，获得了高密度、小尺寸、尺寸均匀、大高宽比的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，因此是制备量子点的一种简易而高效的方法。

主权项

一种离子束溅射技术生长高密度细小自组织Ge量子点的方法，采用离子束真空溅射技术，使用氩气作为工作气体，其特征在于工作室本底真空度小于3.0×10‑4Pa，束流电压为0.5KV～1.1KV，生长束流为4mA～15mA的条件下，在硅基底材料上当生长温度为700℃～800℃时生长了一层Si缓冲层，然后在600℃～750℃的温度范围内自组织生长单层Ge量子点。