发明名称 |
一种有栅板式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种包括氯化氢气体供气管道(18)、氯化氢气体缓冲室(17)、氯化氢气体分配板(50)、氯化氢与硅粉反应的反应室(11)、硅粉加料口(14)、硅粉和气体进行分离的气-固分离室(12)及反应气体取出口(13)的三氯硅烷合成装置(10b),还包括一栅板式硅粉阻挡器(60b)和旋转式吹气管(32),所述的栅板式硅粉阻挡器(60b)包括:栅板条(62b)、由栅板条组成的有方形孔(61b)的栅板(64b)和加固环(63b),和将多层所述的栅板加固环(63b)连接组成栅板式硅粉阻挡器的支柱(65b)。所述的栅板式硅粉阻挡器(60b)被安装在三氯硅烷合成装置反应室(11)上部的扩径部的上部气固分离室(12)中,在所述气固分离室顶部的吹气管(32)下方;所述的旋转式吹气管可以将高压气体吹送到硅粉阻挡器的各部位。按照本实用新型,上升到气固分离室里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器上,并被载气吹送到反应室里与氯化氢气体反应,因此,三氯硅烷转化率高,节约能源,生产效率高。 |
申请公布号 |
CN201857274U |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN201020604447.7 |
申请日期 |
2010.11.13 |
申请人 |
宁夏阳光硅业有限公司 |
发明人 |
吴卫星;李海军;刘军;潘伦桃;杨君;吕建波;陈其顺;张治;张文华;张建成;张汝有 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
宁夏专利服务中心 64100 |
代理人 |
叶学军 |
主权项 |
一种三氯硅烷合成装置,包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气 固分离室及反应气体取出口,其特征在于在气 固分离室下部设有栅板式硅粉阻挡器,气固分离室顶部设有吹气管。 |
地址 |
753202 宁夏回族自治区石嘴山市河滨工业园区西电路 |