发明名称 |
一种对基体表面进行超疏水改性处理实现自清洁的方法 |
摘要 |
一种对基体表面进行超疏水改性处理实现自清洁的方法:1)将无机基体清洗,烘干,放至室温;2)将步骤1处理的无机基体紫外线照射;3)在无机基体上制备超疏水涂层,制得具有超疏水性能的自清洁表面。基体为聚合物基体时,先在该聚合物基体上制备硅烷缓冲层,然后操作上述步骤2和步骤3。三蒸水在本发明制备的基体表面的接触角可达到150°,此超疏水涂层可有效地防止杂质污染,实现自清洁。超疏水涂层具有良好的稳定性。 |
申请公布号 |
CN102086375A |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN200910241689.6 |
申请日期 |
2009.12.02 |
申请人 |
中国科学院研究生院 |
发明人 |
向军辉;邢丽;梁小红;宋波;陈世伟 |
分类号 |
C09K3/18(2006.01)I;C08J7/06(2006.01)I |
主分类号 |
C09K3/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周长兴 |
主权项 |
一种对无机基体表面进行超疏水改性处理实现自清洁的方法,主要步骤如下:1)将无机基体清洗,烘干,放至室温;2)将步骤1处理的基体紫外线照射;3)在无机基体上制备超疏水涂层:将步骤2处理的无机基体浸入体积浓度为0.5‑5%的三氯硅烷/甲苯溶液中1‑60分钟,取出,用甲苯清洗,于90‑120℃下加热5‑10分钟,放至室温,即制得具有超疏水性能的自清洁表面。 |
地址 |
100049 北京市石景山区玉泉路19号(甲) |