| 主权项 |
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一图案化之硬罩幕层及一开口，且从该开口暴露出该基底；移除部分未被该图案化之硬罩幕层覆盖的该基底，以形成一沟槽；形成一介电层以填满该沟槽，且覆盖该图案化之硬罩幕层；实施一预处理制程，以钝化该介电层上可能之突出物并移除该介电层上可能之尘粒；对该介电层实施一平坦化制程。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的制造方法，其中该预处理制程为湿式蚀刻制程。如申请专利范围第2项所述之半导体结构的制造方法，其中该湿式蚀刻制程使用含有氢氟酸(HF)及氟化氨(NH4F)之蚀刻剂。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的制造方法，其中藉由该预处理制程，移除50@sIMGCHAR!d10011.TIF@eIMG!至500@sIMGCHAR!d10012.TIF@eIMG!厚度之该介电层。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的制造方法，其中该介电层由二氧化矽层组成。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的制造方法，其中该硬罩幕层由氮化矽层组成。如申请专利范围第1项所述之半导体结构的制造方法，其中该平坦化制程为化学机械研磨(CMP)制程。一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一氮化层，以作为硬罩幕层；图案化该硬罩幕层，以形成一开口，并从该开口暴露出该基底；进行一第一蚀刻制程以从该开口移除部分该基底，以形成一沟槽；形成一氧化层以填满该沟槽，且覆盖该图案化之硬罩幕层；进行一第二蚀刻制程，以钝化该氧化层上可能之突出物并移除该氧化层上可能之尘粒；对该氧化层实施一化学机械研磨制程。如申请专利范围第8项所述之浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该第二蚀刻制程为湿式蚀刻制程。如申请专利范围第9项所述之浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该湿式蚀刻制程使用含有氢氟酸(HF)及氟化氨(NH4F)之蚀刻剂。如申请专利范围第8项所述之浅沟槽隔离结构的制造方法，其中藉由该第二蚀刻制程，移除50@sIMGCHAR!d10013.TIF@eIMG!至500@sIMGCHAR!d10014.TIF@eIMG!厚度的该氧化层。如申请专利范围第8项所述之浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该氧化层由二氧化矽层组成。如申请专利范围第8项所述之浅沟槽隔离结构的制造方法，其中该硬罩幕层由氮化矽层组成。 |
