发明名称 熔射方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.11
申请号 TW093131838 申请日期 2004.10.20
申请人 九州电力股份有限公司 日本;西日本工程工业股份有限公司 日本 发明人 今泉幸男;鎌仓宏树;樱田敏生;山田谦一;石桥胜彦
分类号 C23C4/00 主分类号 C23C4/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种熔射方法,系对于金属体熔射金属熔射材料形成防腐用熔射皮膜的熔射方法,其特征为,包含:使用研磨工具进行粗糙面化处理使被熔射体表面的平均粗糙度Ra形成2~10μm范围的工程,及熔射材料的熔融粒子附着在被熔射体的表面时的上述熔融粒子每1粒子的平均面积为10000~100000μm2的条件下进行熔射的工程。如申请专利范围第1项记载的熔射方法,其中是使用电浆熔射法进行上述熔射。如申请专利范围第2项记载的熔射方法,其中是使用线形或棒形金属熔射材料的熔射装置作为电浆熔射装置。如申请专利范围第1项记载的熔射方法,其中是使用铝合金或铝-镁合金或锌铝合金等的铝合金作为上述金属熔射材料。如申请专利范围第2项记载的熔射方法,其中是使用铝合金或铝-镁合金或锌铝合金等的铝合金作为上述金属熔射材料。如申请专利范围第3项记载的熔射方法,其中是使用铝合金或铝-镁合金或锌铝合金等的铝合金作为上述金属熔射材料。如申请专利范围第1项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。如申请专利范围第2项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。如申请专利范围第3项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。如申请专利范围第4项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。如申请专利范围第5项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。如申请专利范围第6项记载的熔射方法,其中包含在熔射被膜形成后进行封孔处理的工程。
地址 日本;日本