DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP MUNI D'UNE ZONE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANTS LOCALISÉE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION

摘要

Le dispositif à effet de champ comporte une électrode de grille sacrificielle ayant des parois latérales recouvertes par des espaceurs latéraux (8) formée sur un film en matériau semi-conducteur (2). Les électrodes de source/drain (6) sont formées dans le film en matériau semi-conducteur (2) et sont disposées de part et d'autre de l'électrode de grille (12). Un élément barrière de diffusion est implanté au travers de l'espace vide laissé par la grille sacrificielle de manière à former une zone de diffusion modifiée (11) sous les espaceurs latéraux (8). La zone de diffusion modifiée (11) est une zone où la mobilité des impuretés dopantes est réduite comparée aux électrodes de source/drain (6).