发明名称 THIN FILM TRANSISTOR SUSTRATE
摘要 <p>박막 트랜지스터 기판에서, 박막 트랜지스터 기판은 제1 데이터선, 제1 데이터선과 이웃하는 제2 데이터선, 제1 데이터선과 제2 데이터선 사이의 영역에 위치하는 트랜지스터, 및 제1 및 제2 데이터선 중 제2 데이터선과 인접하는 화소 전극을 포함한다. 화소 전극의 연장부가 제2 데이터선을 가로질러 상기 트랜지스터와 연결된다. 따라서 화소 전극과 데이터선 간에 별도의 연결 부재를 사용할 필요가 없기 때문에 공정을 단축시킬 수 있으며 배선 구조를 단순화 할 수 있다. 또한, 공간 활용도를 높여 전체적으로 집적도를 향상시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR101570399(B1) 申请公布日期 2015.11.30
申请号 KR20090017724 申请日期 2009.03.02
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 김동규
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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