改善窄铜填孔之导电性的方法及结构

主权项

一种制造铜填孔的方法，包括以下步骤：于一介电层中蚀刻一通孔；以包含钽之一扩散阻障层为该通孔的内衬；共形地沉积一薄钌层于该扩散阻障层上，藉此方式达成该薄钌层之均匀覆盖于该扩散阻障层上，而防止任何来自该扩散阻障层之钽的暴露与氧化，因而防止该扩散阻障层之氧化；沉积一薄铜晶种层于该钌层上；进行一第一退火以增加该铜晶种层的晶粒尺寸，其中该第一退火于包含氢气之一形成气体中进行；以额外的铜填入该通孔中；以及进行一第二退火以增加该额外的铜的晶粒尺寸，其中该第二退火后该额外的铜具有平均剖面晶粒宽度为该通孔之剖面宽度的至少0.5倍。