| 主权项 |
一种垂直通道式之接面场效电晶体，包括：一半导体基板，系由一第一种半导体杂质掺杂制成，其底面系作为该接面场效电晶体之一汲极；一导通半导体，系以高温扩散法或离子植入法，将该第一种半导体杂质自该半导体基板之顶面向下布植于该半导体基板内对应于中央位置而形成，该导通半导体之掺杂浓度系大于该半导体基板的掺杂浓度；该导通半导体之顶面系作为该接面场效电晶体之一源极；及一控制半导体，系以高温扩散法或离子植入法，将一第二种半导体杂质自该半导体基板之顶面向下布植于该半导体基板内而形成，该控制半导体之构型系呈一环状体，围绕在该导通半导体之周围，且与该导通半导体保持一水平间隔，以在该控制半导体中与该导通半导体下形成一垂直通道，该控制半导体之垂直深度系大于该导通半导体之垂直深度，该垂直通道之水平宽度则大于该导通半导体之水平宽度，该控制半导体之顶面系作为该接面场效电晶体之一闸极；在该接面场效电晶体之汲极被施加一偏压讯号的情况下，该半导体基板上对应于该垂直通道之部位能产生一电流；在该接面场效电晶体之闸极被施加与该偏压讯号相反的一控制讯号的情况下，该控制半导体之周缘能产生一空乏区，该空乏区会随着该控制讯号之增加而扩大，进而限缩该垂直通道之宽度，以控制通过该垂直通道之电流大小，在该控制讯号大到一设定值时，该垂直通道将会因空乏区之持续扩大，而完全被该空乏区填满，进而阻断电流。
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