磊晶反应器之设置方法

主权项

一种将一反应室设置于一装置之方法，该装置在一被载板支撑于反应室中的基板上沉积至少一层第三及五族半导体薄膜，其使用一进气机构，尤其是藉助一载气而将反应气体输入反应室中，该反应气体含有至少一第三族主族之有机金属化合物和一第五族主族之氢化物并在反应室中之尤其是热表面上分解成分解产物，该分解产物含有构成该第三及五族半导体薄膜的成分，其特征为，使朝向与载板相对之反应室之至少一壁的反应室之表面选用一种光学反射度、光学吸收度及光学透射度与欲沉积薄膜一致的材料，以及该表面之材料进一步选用与欲沉积薄膜不同的材料。