半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，系具有：第1步骤，系于半导体基板处，从其元件形成面侧来形成所期望深度的孔；第2步骤，系于该孔之内壁处形成矽氧化膜；第3步骤，系使用包含非活性气体与NH3气体或N2气体的混合气体做为处理气体，藉由于微波放电使用了放射状槽孔天线抑或金属表面波激发电浆的微波激发电浆氮化法来将形成于该孔之内壁处的矽氧化膜加以氮化而成为矽氮氧化膜；第4步骤，系将导体埋入至该孔处；以及第5步骤，系藉由湿蚀刻来削除该半导体基板之内面直到露出该导体。