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1.一种制备半导体元件之电容器的方法,本方法包 含了以下的步骤: i)在半导体基版上形成包含储存节接触洞的中介 绝缘层; ii)在中介绝缘层(包含储存节接触洞)之上形成多 晶矽层; iii)在多晶矽层之上形成一暂时性的阻抗层;并藉 此,利用暂时性的阻抗层填充储存节接触洞; iv)选择性的移除该暂时性的阻抗层,使其只会在储 存节接触洞中被保留下来; v)将离子植入于多晶矽层之无覆盖的上表面; vi)在移除残余的暂时性阻抗层之后,氧化被植入了 离子的多晶矽层; vii)在移除多晶矽层的氧化部分之后,在该多晶矽 层表面生长超多晶矽MPS层,以及 viiii)在多晶矽层(包含超多晶矽MPS层)之上形成一 介电层和一上方电极。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤v) 所述的离子包含氧气和氮气。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述的暂 时性阻抗层乃藉由回蚀过程被蚀刻,而使得该暂时 性阻抗层只会在储存节接触洞中留存下来。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述的多 晶矽层的氧化部分系经由清洗过程被移除。 图式简单说明: 第1a图到第1f图为一般用来组装半导体元件电容器 的方法之截面图。 第2图为经由传统半导体元件电容组装方法所产生 的电容的截面照片。在此传统半导体元件电容组 装方法中,在对储存节的多晶矽层进行回蚀过程之 后,才会生长超多晶矽MPS层。 第3图为为经由传统半导体元件电容组装方法所产 生的电容的截面照片。在此传统半导体元件电容 组装方法中,在沈淀了储存节的多晶矽层之后,才 会生长超多晶矽MPS层。 第4a图到第4f图为根据本发明来制备半导体元件电 容器的方法之截面图。 |
