| 摘要 |
本发明的课题是在于不分别使用SOI基板，将具有彼此相异膜厚的半导体层形成于绝缘体上。其解决手段为：以第1半导体层13能够被覆盖的方式在半导体基板11上形成第2半导体层14，以第3半导体层15能够被覆盖的方式在第2半导体层14上形成第4半导体层17，以第5半导体层18能够被覆盖的方式在第4半导体层17上形成第6半导体层20之后，蚀刻去除第1半导体层13、第3半导体层15及第5半导体层18，在半导体基板11与第2半导体层14之间的空洞部30a形成埋入绝缘层31a，在第2半导体层14与第4半导体层17之间的空洞部30b形成埋入绝缘层31b，在第4半导体层17与第6半导体层20之间的空洞部30c形成埋入绝缘层31c。 |
