发明名称 一种具有温度控制装置的被动调Q激光器
摘要 本实用新型公开了一种具有温度控制装置的被动调Q激光器,包括泵浦源、多个反射元件构成谐振腔、固态增益介质放置在谐振腔内,一饱和吸收体放置在谐振腔内,以及一温度控制装置放置在固态增益介质周围,使固态增益介质保持在一预设温度附近,通过将固态增益介质保持在一预设温度附近,能够提高量子效率,提高输出激光的脉冲峰值功率,获得了峰值功率约为0.5MW,脉冲宽度80ps的脉冲激光。
申请公布号 CN204858261U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520671624.6 申请日期 2015.09.02
申请人 苏州英谷激光有限公司 发明人 肖旭辉;周勇;崔晓敏
分类号 H01S3/091(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I 主分类号 H01S3/091(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种具有温度控制装置的被动调Q激光器,设置在具有出光口的密封箱体内,包括泵浦源、多个反射元件构成谐振腔、固态增益介质放置在谐振腔内,一饱和吸收体放置在谐振腔内,以及一温度控制装置放置在固态增益介质周围,使固态增益介质保持在一预设温度附近;其特征在于:所述泵浦源采用光纤耦合输出的LD,所述泵浦源设置在具有半导体制冷模块的由铜材料制成的散热装置上,通过半导体制冷模块调节泵浦源的温度,使其输出808nm的准连续激光,平均功率20W;所述固态增益介质采用Nd:YVO<sub>4</sub>晶体,其一面镀1064nmHR/808nmHT膜,作为谐振腔的一个反射元件,另一面镀1064nmAR膜;谐振腔的输出镜镀1064nmHR膜,反射率约为80%;所述饱和吸收体采用Cr<sup>4+</sup>:YAG晶体,在Cr<sup>4+</sup>:YAG晶体的两个表面均镀1064nmAR膜;所述温度控制装置具有一圆环形的气管设置在固态增益介质的表面周围,在固态增益介质的两侧对应设置具有供光线通过的入光口及出光口,一个溶剂供应源用于供应具有预设温度的溶剂,具有预设温度的溶剂在气管中循环;所述固态增益介质的表面浸没在所述溶剂中,所述饱和吸收体的周围除入光面及出光面的表面包裹铟膜,然后在周围紧贴设置紫铜散热模块以对所述饱和吸收体进行散热。
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