磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法

摘要

本发明提供了一种磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法，包括：沉积氧化物硬掩膜层；在所述氧化物硬掩膜层上布置抗反射涂层；在所述抗反射涂层上布置光刻胶并且使得光刻胶图案化，随后在抗反射层的刻蚀过程中使图案化的光刻胶和抗反射涂层的侧壁上布置聚合物薄膜；利用图案化的光刻胶对氧化物硬掩膜层进行干法软刻蚀；执行灰化处理以及湿法刻蚀。

主权项

一种磁增强反应离子蚀刻下的硬掩膜侧壁粗糙度改进方法，其特征在于包括：第一步骤：沉积氧化物硬掩膜层；第二步骤：在所述氧化物硬掩膜层上布置抗反射涂层；第三步骤：在所述抗反射涂层上布置光刻胶并且使得光刻胶图案化，随后在抗反射层的刻蚀过程中使图案化的光刻胶和抗反射涂层的侧壁上布置聚合物薄膜；第四步骤：利用图案化的光刻胶对氧化物硬掩膜层进行干法软刻蚀；第五步骤：执行灰化处理，以及利用软刻蚀后的氧化物硬掩膜层执行湿法刻蚀。