一种波状PIN电光调制器结构

摘要

本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N-Sub型衬底，N-Sub型衬底的上部设置有SiO₂埋层，SiO₂埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO₂埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO₂覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。

主权项

一种波状PIN电光调制器结构，其特征在于，包括有N‑Sub型衬底(8)，所述N‑Sub型衬底(8)的上部设置有SiO₂埋层(7)，所述SiO₂埋层(7)上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区(1)、波状N+阱区(3)，所述SiO₂埋层(7)上部的波状P+阱区(1)、波状N+阱区(3)之间设置有本征N型调制区(2)，所述波状P+阱区(1)的上部配设有第一电极(4)，所述波状N+阱区(3)的上部配设有第二电极(5)，所述第一电极(4)、本征N型调制区(2)及第二电极(5)的上部覆盖有SiO₂覆盖层(6)。