用于在尺寸窄的栅极叠层内形成热稳定的硅化物的结构及方法

摘要

提供了一种包括具有小于或等于65nm的宽度的窄的栅极叠层的集成电路，该栅极叠层包括含有在硅化物中远离硅化物的顶表面的且朝着由在栅极导体的侧壁上的间隔件的下拉高度所界定的下部的区域内偏析的Pt的硅化物区。在一种优选的实施例中，间隔件在硅化物形成之前被下拉。硅化物首先通过在250℃~450℃的温度下的形成退火来形成。随后是，在450℃～550℃的温度下的偏析退火。Pt沿着硅化物层的垂直长度的分布在偏析区内具有峰值Pt浓度，以及Pt偏析区在峰值Pt浓度的一半处的宽度比在硅化物层的顶表面与下拉间隔件高度之间的距离的50%小。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶片，所述晶片包含：半导体衬底；形成于所述衬底之上的栅极叠层，所述栅极叠层包括具有小于或等于65nm的宽度的半导体栅极导体；以及覆盖着所述栅极导体的侧壁而使所述栅极导体的顶表面保留为露出的电介质间隔件；将所述电介质间隔件下拉至下拉间隔件高度，以使所述半导体栅极导体的所述侧壁的上部露出；在所述晶片之上，至少在所述半导体栅极导体的露出顶表面及其侧壁的上部之上形成金属薄层，所述金属薄层包含Ni和Pt；执行形成退火使得所述金属薄层与所述栅极导体反应以形成单硅化物层；去除所述金属薄层的未反应部分；以及在去除了所述金属薄层的所述未反应部分之后，在比所述形成退火高的温度下执行偏析退火，使得至少50％的Pt位于在所述单硅化物层的顶表面与所述下拉间隔件高度之间的所述单硅化物层的下半部分内的偏析区中。