发明名称 接垫结构的形成方法
摘要 本发明提供一种接垫结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫;在所述第一保护层与所述接垫上形成第二保护层;在所述第二保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫,所述第一开口的底部位于所述接垫上;采用焊锡材料填充所述第一开口,以形成新的接垫。采用本发明提供的接垫结构形成方法,可以满足倒装晶片结合对接垫的要求且该方法的工序简单、省时、生产成本低。
申请公布号 CN102931145B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201110227636.6 申请日期 2011.08.09
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 丁海涛
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种接垫结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫,所述第一保护层具有第二开口,所述第二开口用以暴露出所述接垫;在所述第一保护层与所述接垫上形成第二保护层,所述第二保护层材质为聚酰亚胺;利用掩膜板曝光、显影,将掩膜板上的第一开口图形转移至聚酰亚胺上,以在所述第二保护层上形成暴露出所述接垫的第一开口,所述第一开口自开口处至开口底部完全落于所述第二开口的底部,所述第一开口的底部位于所述接垫上,相邻所述接垫上的第一开口间的距离大于两所述接垫间的距离;对所述包含第一开口的基底进行固化,所述固化的工艺条件为:370‑390摄氏度持续20‑30分钟;在聚酰亚胺的第一开口上放置锡球,采用焊锡材料填充所述第一开口使得相邻接垫上的锡球间的距离大于两接垫间的距离,以形成新的接垫。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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