氮化物半导体发光元件的制造方法

摘要

一种氮化物半导体发光元件的制造方法，该方法可以可靠地形成从发光元件表面引出的机械稳定的导线电极。预先在器件结构层上的第一电极层的周边形成结构保护牺牲层，在将器件结构层分离为发光元件的各个部分之后，粘接到支撑衬底上。随后，形成到达结构保护牺牲层的正锥形槽，并且在剥离步骤中剥离形成在该正锥形槽外面的倒锥形部。从而，在发光元件的正锥形侧壁上形成了绝缘层，并且在该绝缘层上形成了布线电极层，该布线电极层电连接到发光元件的主面上的第二电极层。

主权项

一种氮化物半导体发光元件的制造方法，在成膜用的生长衬底上形成多个发光元件的器件结构层，并且在将所述器件结构层分离为各个所述发光元件的部分后，将支撑衬底粘接到所述器件结构层侧并且去除所述生长衬底，所述制造方法包括以下步骤：在所述生长衬底上形成所述器件结构层；在所述器件结构层的表面上的分别对应于所述多个发光元件的位置处形成第一电极层；在所述器件结构层的表面上的所述第一电极层的周边形成结构保护牺牲层；元件分离步骤：在所述器件结构层中形成元件分离槽，以将所述器件结构层分离为各个所述发光元件的部分；接合步骤：在所述元件分离步骤之后，将所述支撑衬底粘接到所述器件结构层侧；在所述接合步骤之后，去除所述生长衬底；正锥形槽形成步骤：在所述器件结构层中形成达到所述结构保护牺牲层的正锥形槽，从而将所述器件结构层分离为具有所述第一电极层的发光元件和所述结构保护牺牲层上的倒锥形部；剥离步骤：蚀刻所述结构保护牺牲层，从而剥离所述倒锥形部；在去除所述生长衬底而露出的所述器件结构层的露出面上形成第二电极层；以及布线电极层形成步骤：在所述发光元件的侧壁上形成绝缘层，并且在所述绝缘层上形成电连接到所述第二电极层的布线电极层。