一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法

摘要

本发明公开了一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池。

主权项

一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、在柔性衬底上制作背电极；具体为：通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，接近衬底的一层为高阻Mo层，上述高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在上述高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、在上述背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜；具体为：利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；具体为：采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓硒吸收层，其中，上述三步法中的第一步衬底温度在250℃‑300℃范围，第二步和第三步衬底温度在350℃‑380℃范围内；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池；具体为：在铜铟镓硒薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；i‑ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。