一种分裂栅型沟槽功率MOS器件

摘要

本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本发明中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。

主权项

一种分裂栅型沟槽功率MOS器件，其特征在于：有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同；所述分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端保护环和分裂栅型沟槽功率MOS器件的元胞结构在同一层光刻板；衬底厚度7.1μm，n型杂质浓度为1.23×10¹⁶/cm³；沟道区厚度为0.5μm，p型杂质浓度为1.2×10¹⁷/cm³；N+源区为0.3μm，杂质浓度为1.0×10²⁰/cm³；沟槽深度为7.4μm，其中厚氧厚度为0.8μm，栅氧厚度为元胞间距为5.6μm，台面宽度为1.3μm；元胞同终端保护环接触处半圆直径为1.3μm。