| 发明名称 |
积体电路及其操作方法与制造方法;INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD FOR THE SAME |
| 摘要 |
揭露一种积体电路及其操作方法与制造方法。积体电路包括一三维记忆阵列与复数条选择线。三维记忆阵列包括复数阶层。阶层各包括一第一NAND串列、一第二NAND串列、与连接开关电晶体之二维阵列。第一与第二NAND串列包括记忆胞及串列开关电晶体。连接开关电晶体偶接至第一NAND串列的串列开关电晶体其中串联的两个之间。选择线电性耦接至串列开关电晶体与连接开关电晶体。 |
| 申请公布号 |
TW201545277 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW103118038 |
申请日期 |
2014.05.23 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
李冠儒 LEE, GUAN RU |
| 分类号 |
H01L21/8239(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |
