| 发明名称 | 一种用于HTOL测试的闪存设置方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在源极、控制栅与衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105097048A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410195902.5 | 申请日期 | 2014.05.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 詹奕鹏;金起準;赵国旭;叶晓;杨震 |
| 分类号 | G11C29/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种用于HTOL测试的闪存设置方法，其特征在于，所述闪存包括衬底、源极和控制栅，其中，所述方法包括：通过设置在所述源极、所述控制栅与所述衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述漏极之间不存在电压差。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||