发明名称 电子照相用构件、处理盒和电子照相设备
摘要 本发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。本发明提供即使在低温下使用时电阻的增加也小并且有助于形成高品质的电子照相图像的电子照相用构件,和使用所述电子照相用构件作为充电构件或显影剂承载构件的处理盒和电子照相设备。因此,本发明的电子照相用构件是包括导电性芯轴和导电层的电子照相用构件,其中所述导电层包括聚氨酯树脂和离子导电剂,所述聚氨酯树脂在两个相邻的氨基甲酸酯键之间具有由式(1)表示的结构、和选自由式(2)表示的结构和式(3)表示的结构组成的组的至少一种结构,并且所述离子导电剂含有特定的阴离子。
申请公布号 CN105093874A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510246104.5 申请日期 2015.05.14
申请人 佳能株式会社 发明人 山田真树;山口壮介;有村秀哉;山内一浩;西冈悟
分类号 G03G15/02(2006.01)I;G03G21/18(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I;C08L75/08(2006.01)I;C08G18/48(2006.01)I 主分类号 G03G15/02(2006.01)I
代理机构 北京魏启学律师事务所 11398 代理人 魏启学
主权项 一种电子照相用构件,其包括导电性芯轴和导电层,其特征在于,所述导电层包括聚氨酯树脂和离子导电剂,所述聚氨酯树脂在两个相邻的氨基甲酸酯键之间具有由以下结构(1)表示的结构、和选自由以下结构(2)表示的结构和以下结构(3)表示的结构组成的组的至少一种结构,并且所述离子导电剂含有选自氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化砷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、二氰胺阴离子、和双(草酸)硼酸根阴离子的至少一种阴离子,‑CH<sub>2</sub>‑CH<sub>2</sub>‑CH<sub>2</sub>‑CH<sub>2</sub>‑O‑结构(1)<img file="FDA0000717259450000011.GIF" wi="756" he="175" />结构(2)<img file="FDA0000717259450000012.GIF" wi="756" he="170" />结构(3)。
地址 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号