发明名称 |
半导体装置和半导体装置的制造方法以及液晶显示装置 |
摘要 |
本发明的半导体装置(100A)具有:薄膜晶体管(10);形成在薄膜晶体管(10)上的第一绝缘层(9);形成在第一绝缘层(9)上的具有开口部(21a)的第二绝缘层(11);和以从基板(1)的法线方向看时与氧化物半导体层(5)重叠的方式形成的遮光层(12a),遮光层(12a)形成于开口部(21a),遮光层(12a)的上表面具有凸状的曲面,并且,第二绝缘层(11)的上表面与遮光层(12a)的上表面相比位于基板(1)侧。 |
申请公布号 |
CN103261959B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201180059588.2 |
申请日期 |
2011.11.29 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
村井淳人;中田幸伸;川岛慎吾;西村淳 |
分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具有:基板;具有由所述基板支承的源极电极、漏极电极和氧化物半导体层的薄膜晶体管;形成在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层;形成在所述第一绝缘层上的具有第一开口部或第一凹部的第二绝缘层;以从所述基板的法线方向看时与所述氧化物半导体层重叠的方式形成的第一遮光层;与所述源极电极电连接的源极配线;和以从所述基板的法线方向看时与所述源极配线重叠的方式形成的第二遮光层,所述第一遮光层形成于所述第一开口部或第一凹部,所述第一遮光层的上表面具有凸状的曲面,并且,所述第二绝缘层的上表面与所述第一遮光层的上表面相比位于所述基板侧,所述第二绝缘层还具有第二开口部或第二凹部,所述第二遮光层形成于所述第二开口部或所述第二凹部,所述第二遮光层的上表面具有凸状的曲面,并且,所述第二绝缘层的上表面与所述第二遮光层的上表面相比位于所述基板侧。 |
地址 |
日本大阪府 |