发明名称 一种新型的电感结构及实现方法
摘要 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构,具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括:多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间,其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成,这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构,这样就减小了寄生电容的影响,扩展了电感的工作频带,以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
申请公布号 CN105097788A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410216645.9 申请日期 2014.05.22
申请人 上海北京大学微电子研究院 发明人 张炯;贾孟军;吴文政;徐帆;程玉华
分类号 H01L23/64(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 H01L23/64(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种射频集成电路电感结构,包括:衬底、金属螺旋电感、位于衬底上的多层介质层,其特征在于,还包括多层金属互连结构和一个悬浮结构;其中悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间部位进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构。
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