横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底内的埋层区、埋层区上的阱区、阱区上的栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、以及超级结结构，源区设于阱区内，漏区设于超级结结构内，栅区包括栅氧层和栅氧层上的栅极，超级结结构包括多个N柱和P柱，N柱和P柱在水平且垂直于源区和漏区连线的方向上交替排列，每个N柱包括上下对接的顶层N区和底层N区，每个P柱包括上下对接的顶层P区和底层P区。本发明将超级结结构的N柱和P柱分解为两次注入形成，每次注入时所需结深只为传统工艺的一半，故可采用较低的注入能量来形成很深的P、N柱，从而提高器件的击穿电压。漂移区为P柱和N柱相互交错的结构，实现高击穿电压。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括衬底、衬底内第二掺杂类型的埋层区、所述埋层区上第二掺杂类型的阱区、所述阱区上的栅区、位于栅区两侧的第一掺杂类型的源区和漏区、以及超级结结构，所述源区设于所述阱区内，所述漏区设于所述超级结结构内，所述栅区包括栅氧层和栅氧层上的栅极，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型为相反的导电类型，其特征在于，所述超级结结构包括多个N柱和P柱，所述N柱和P柱在水平且垂直于源区和漏区连线的方向上交替排列，每个N柱包括上下对接的顶层N区和底层N区，每个P柱包括上下对接的顶层P区和底层P区。