发明名称 写装置及磁性存储器
摘要 本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器,写装置包括:第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区,第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域,第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域,第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成,第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成,第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能;第一信息存储区,用于向信息缓存区写入第一数据;第二信息存储区,用于向信息缓存区中写入第二数据;信息缓存区,用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据,并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。
申请公布号 CN105096963A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410173016.2 申请日期 2014.04.25
申请人 华为技术有限公司;复旦大学 发明人 傅雅蓉;赵俊峰;王元钢;杨伟;林殷茵;杨凯
分类号 G11B5/012(2006.01)I;G11B5/02(2006.01)I 主分类号 G11B5/012(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 刘芳
主权项 一种写装置,用于对利用磁畴存储信息的磁性存储器进行写操作,其特征在于,包括第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区,其中:所述第一驱动端口的一端与所述第一信息存储区连接,所述第一驱动端口的另一端用于连接电源;所述第二驱动端口的一端与所述第二信息存储区连接,所述第二驱动端口的另一端用于连接所述电源;所述第一信息存储区与所述信息缓存区之间存在第一区域,所述第二信息存储区和所述信息缓存区之间存在第二区域,所述第一信息存储区、所述第二信息存储区和所述信息缓存区采用第一磁性材料构成,所述第一区域和所述第二区域采用第二磁性材料构成,所述第一磁性材料与所述第二磁性材料不同,所述第一磁性材料的磁能高于所述第二磁性材料的磁能;所述第一信息存储区,用于在所述第一驱动端口受到所述电源的驱动时,向所述信息缓存区写入第一数据,所述第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示;所述第二信息存储区,用于在所述第二驱动端口受到所述电源的驱动时,向所述信息缓存区中写入第二数据,所述第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示,其中,所述第一自旋方向与所述第二自旋方向相反;所述信息缓存区,用于缓存从所述第一信息存储区或所述第二信息存储区写入的数据,并将缓存的数据写入所述磁性存储器的一个磁畴中。
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