| 发明名称 |
ADHESION LAYER TO MINIMIZE DILELECTRIC CONSTANT INCREASE WITH GOOD ADHESION STRENGTH IN A PECVD PROCESS |
| 摘要 |
본 발명의 실시예들은, 개시 층에 대한 필요성 없이, 저 유전 상수 벌크 층을 위한 접착성 층을 증착하기 위한 방법 및 막 스택을 제공한다. 반도체 디바이스에서 사용하기 위한 막 스택은, 아래놓인 층 바로 위에 증착된 이중 층 저-K 유전체를 포함한다. 이중 저-K 유전체는, 무 탄소 개시 층 없이 증착된 접착성 층으로 구성된다. |
| 申请公布号 |
KR20150131171(A) |
申请公布日期 |
2015.11.24 |
| 申请号 |
KR20157028508 |
申请日期 |
2013.12.20 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
YIM KANG SUB;ARDALAN PENDAR;NGO SURE;DEMOS ALEXANDROS T. |
| 分类号 |
H01L21/02;C23C16/40;H01L21/205;H01L21/768;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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