发明名称 具场板之宽能带隙电晶体装置
摘要
申请公布号 TWI509795 申请公布日期 2015.11.21
申请号 TW101137523 申请日期 2004.09.09
申请人 克立公司 发明人 派力 派密特;吴宜方
分类号 H01L29/778 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种电晶体,其包含:复数个第III族氮化物活性半导体层;一源极接点,其与该等复数个活性层电接触;一汲极接点,其亦与该等复数个活性层电接触,该等复数个活性层在该源极与该汲极接点之间存在空间,且该空间在该等复数个活性层之最上部;一闸极,其与该源极与该汲极接点之间的该等复数个活性层之最上部电接触;一分隔层,其位于该闸极与该汲极接点之间的该等复数个活性层之该最上部之该表面上,且完全覆盖该闸极接点以及实质上完全覆盖该最上部之该表面,该最上部之该表面系在该闸极及该汲极接点之间以及该源极及该汲极接点之间;一场板,其位于该分隔层上且藉由一或多个导电路径电连接至该闸极或源极,其中该场板至少一部分地重叠该闸极并在该分隔层上向该汲极接点延伸;及一或多个导电通孔,其穿过该分隔层于该闸极或源极及该场板之间通行,该等通孔提供该场板与该闸极的电连接。
地址 美国