发明名称 SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD
摘要 <p>본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 처리 장치의 공정 챔버 내의 전극에 시간에 주기적으로 온/오프되는 펄스 모드의 고주파 전력이 공급되는 경우, 펄스 모드가 오프(off)일 때 가변 커패시터의 잔류 전력을 방전하여 공정 챔버 내의 전극으로 공급되는 전력을 제어한다. 또한, 본 발명은 복수 개의 커패시터로 이루어진 가변 커패시터를 스위치 단속에 의해 커패시턴스를 조절하여 임피던스를 정합시킨다.</p>
申请公布号 KR101570174(B1) 申请公布日期 2015.11.19
申请号 KR20110042697 申请日期 2011.05.04
申请人 세메스 주식회사 发明人 손덕현
分类号 H03H7/40;H05H1/36;H05H1/46 主分类号 H03H7/40
代理机构 代理人
主权项
地址