发明名称 |
带温度补偿功能的传感器元件和使用该元件的磁传感器及电能测定装置 |
摘要 |
本申请涉及带温度补偿功能的传感器元件和使用该元件的磁传感器及电能测定装置。对磁阻效应型磁传感器而言,由于周围的温度上升而磁性膜自身的磁特性会降低,所以存在作为传感器的灵敏度降低的问题。一种传感器元件,其特征在于,包括:具有磁阻效应的磁性膜;用于向上述磁性膜流通电流的、隔着上述磁性膜而对置的一对电极;在上述电极的对置方向上使第一偏置磁场产生的施加纵向偏置磁场的磁铁;和在与上述施加纵向偏置磁场的磁铁之间形成直角的方向上使第二偏置磁场产生的施加横向偏置磁场的磁铁,上述施加纵向偏置磁场的磁铁的温度特性比上述施加横向偏置磁场的磁铁的温度特性大。 |
申请公布号 |
CN105074488A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201480019163.2 |
申请日期 |
2014.04.01 |
申请人 |
株式会社SIRC |
发明人 |
辻本浩章 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;G01R21/08(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 |
代理人 |
龚敏;王刚 |
主权项 |
一种传感器元件,其特征在于,包括:具有磁阻效应的磁性膜;用于向上述磁性膜流通电流的、隔着上述磁性膜而对置的一对电极;在上述电极的对置方向上产生第一偏置磁场的施加纵向偏置磁场的磁铁;和在与上述施加纵向偏置磁场的手段形成直角的方向上产生第二偏置磁场的施加横向偏置磁场的磁铁,上述施加纵向偏置磁场的磁铁的温度特性比上述施加横向偏置磁场的磁铁的温度特性更大。 |
地址 |
日本大阪府大阪市住吉区杉本3丁目3番138号 |