垂直半导体器件

摘要

一种垂直半导体器件，包括半导体主体，其包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、以及在基本上垂直于第一表面的垂直方向上延伸的边缘、有源区域、在有源区域和边缘之间在基本平行于第一表面的水平方向上布置的外围区域，以及与第一表面相邻地布置并从有源区域延伸至外围区域的pn结。在外围区域中，半导体器件还包括布置与第一表面相邻的第一导电区域，与第一表面相邻地布置并在水平方向上布置在第一导电区域和边缘之间的第二导电区域、以及钝化结构，其在垂直截面中包括至少部分地覆盖第一导电区域的第一部分，至少部分地覆盖第二导电区域的第二部分。第一部分具有与第二部分不同的层组成和/或不同于第二部分的第二厚度的第一厚度。

主权项

一种垂直半导体器件(100‑400，600‑800)，所述器件包括：‑半导体主体(40)，所述半导体主体包括第一表面(101)、与所述第一表面相对的第二表面(102)、在基本上垂直于所述第一表面的垂直方向上延伸的边缘(41)、有源区域(110)、在所述有源区域和所述边缘之间在基本平行于所述第一表面的水平方向上布置的外围区域(120)、以及与所述第一表面相邻并且从所述有源区域延伸至所述外围区域中的pn结(14)；在所述外围区域(120)中，所述半导体器件还包括：‑第一导电区域(20、21)，与所述第一表面相邻地布置；‑第二导电区域(22)，与所述第一表面相邻地布置，并且在所述第一导电区域和所述边缘之间在所述水平方向上布置；以及‑钝化结构(6、7)，所述钝化结构在垂直截面中包括至少部分地覆盖所述第一导电区域(20、21)的第一部分、以及至少部分地覆盖所述第二导电区域(22)的第二部分，其中，所述第一部分包括与所述第二部分的第二厚度不同的第一厚度，和/或其中所述第一部分包括与所述第二部分不同的层组成。