| 发明名称 | 一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法，其特征在于：复合气敏材料是由半导体金属氧化物和锰酸镧混合构成。相比于纯半导体金属氧化物，LMO/半导体金属氧化物复合气敏材料的气敏性能提升有70％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN105044160A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510379161.0 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 易建新;纪磊;张赫;陈冬冬;刘卫;姜羲 |
| 分类号 | G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人 | 何梅生 |
| 主权项 | 一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料，其特征在于：所述复合气敏材料是由半导体金属氧化物和锰酸镧混合构成。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||